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热烈祝贺孙光壮博士毕业快乐
孙光壮博士2015年加入课题组，主要从事功能无机纳米材料的研究，通过采用改进的气相沉积方法成功地在绝缘基底上制备出高质量的单晶Sb2Se3纳米线，拉曼与透射电子显微镜测试证实Sb2Se3纳米线是一种P型半导体，且具有栅压可调的输出特性，开关比约为102，光电测试数据表明，光响应度达到270A/W，切光响应时间小于8ms。孙光壮博士在Sb2Se3/WS2、Sb2O3/WS2、Sb2Te3/WS2,pn异质结，拉曼与透射电子显微镜证实了异质结的形成和各组分具有高的结晶性。电学和光电测试结果表明该异质结具有明显的电流整流行为，同时具有显著的光伏效应以及良好的自驱动光探测能力。
孙光壮博士攻读博士期间参与国家自然科学基金青年科学基金项目一项，作为主要参与人参与了二维掺杂磁性材料的气象合成及各向异性磁阻研究。
地址：湖南大学新化工楼A区309-310/D区304-314
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