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湖南大学化学化工学院报道课题组研究进展（2019-03-20）
日前，段曦东团队选择无悬空健的2D WSe2或WS2作为金属过渡金属二硫化物的生长基底。与在相同条件下传统有悬空健的SiO2/Si衬底上生长的对比表明，使用无悬空键的WSe2或WS2作为范德华外延衬底对于成功实现原子级薄金属过渡金属二硫化物，如MTe2（M = V，Nb,Ta）纳米片是至关重要的。实验与分析表明生长前驱体原子、分子与基底的范德华作用力促使材料横向生长而不是垂直方向生长，最终更有利于形成超薄的二维材料。段曦东团队最近还报道了其它一系列的二维材料领域的工作，如Sb掺杂的SnS2 单层纳米片的合成与光检测器应用、用无悬空健的WSe2作为基底生长锑烯并用形成的范德华异质结制备了光二极管、制备了1D/2D Sb2Se3/WS2混合维度的范德华异质结并对异质结的光伏效应等进行了研究，这些成果发表在国际纳米领域著名期刊《纳米研究》（Nano Research,影响因子7.994）等学术刊物上。
链接：http://cc.hnu.edu.cn/info/1058/6056.htm
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